供应84-1LMISR4芯片导电胶

Ablebond? 84-1LMISR4 导电粘晶胶非常适用在高产率,自动粘晶设备上。Ablebond? 84-1LMISR4导电粘晶胶的流变特性使得它可以进行较小剂量的点胶,以及较小的粘晶停留时间,并且没有拖尾或拉丝问题。因此,Ablebond? 84-1LMISR4独特的粘接性能使得它成为半导体工业中较为常用的粘晶材料之一。
特性
? 优良的点胶性能,具有较小的拖尾或拉丝现象
? 箱式烘箱中固化
UNCURED PROPERTIES
固化前的性质
TEST DESCRIPTION
测试方法描述
TEST METHOD
测试方法
Filler Type/填料类型
Silver
Viscosity/粘度 @
8,000 cps
Brookfield CP51 @ 5rpm
ATM-0018
Thixotropic Index/触变指数
5.6
Visc @ 0.5/Visc @ 5rpm
ATM-0089
Work Life/工作时间 @25℃
18 hours
Physical work life by % filler
ATM-0067
Storage Life @-40℃
1 year
ATM-0068
CURE PROCESS DATA
固化条件
TEST DESCRIPTION
测试方法描述
TEST METHOD
测试方法
Recommended Cure Condition/推荐固化条件
1 hour @ 175℃
Alternate Cure Condtion (1)/可选固化条件
3-5℃/min ramp to 175℃ 1 hour @ 175℃
1The ramp cure was oberserved to yield reduced voiding and increased strength.
渐进升温可以减少气泡产生,以及增加强度。
Weight loss on cure /固化后的热失重
5.3%
10×10 mm Si die on glass slide
ATM-0031
PHYSIOCHEMICAL PROPERTIES-PSOT CURE
固化后的物理化学性质
TEST DESCRIPTION
测试方法描述
TEST METHOD
测试方法
Ionics/离子 Chloride
Sodium
Potassium
5 ppm
3 ppm
1ppm
Teflon flask 5 gm sample/20-40 mesh 50 gm DI water 100℃ for 24 hours
ATM-0007
Water Extract Conductivity
导电率
13 μmhos/cm
ATM-0044|br6
ATM-0002
Weight Loss/热失重 @300℃
0.35%
Thermogravimetric Analysis
热解重量分析法
ATM-0073
ABLEBOND 84-1LMISR4
09/03 - 2 -
PHYSIOCHEMICAL PROPERTIES-PSOT CURE
固化后的物理化学性质
TEST DESCRIPTION
测试方法描述
TEST METHOD
测试方法
Glass Transition Temperature
玻璃化转变温度
120℃
TMA Penetration mode/TMA 传透法
ATM-0058
Coefficient of Thermal Expansion/热膨胀系数
Below Tg
Above Tg
40ppm/℃
150ppm/℃
TMA expansion mode
ATM-0055
4400 MPa (640 Kpsi)
3900 MPa (570 Kpsi)
2000 Mpa (290 Kpsi)
Dynamic Tensile Modulus
动态拉伸模量 @-65℃
@25℃
@150℃
@250℃
300 Mpa (44 Kpsi)
Dynamic Mechanical Thermal Analysis using 动态力学分析法,使用厚度小于0.5mm 的样品。
ATM-0112
Moisture Absorption
吸湿率 @ Saturation
0.6%
Dynamic Vapor Sorption after 85℃/85%RH exposure
ATM-0093
MECHANICAL PROPERTIES-POST CURE
固化后的机械性能
TEST DESCRIPTION
测试方法描述
TEST METHOD
测试方法
Die Shear Strength/芯片的剪切强度 @25℃ 19kgf/die
2×2 mm (80×80 mil) Si die
ATM-005218
Die Shear Strength vs. Temperature
芯片的剪切强度 与 温度的关系
@ 25℃ @200℃ @250℃
21 kg/die 2.9 kg/die 1.7 kg/die
11 kg/die 2.6 kg/die 1.4 kg/die
27 kg/die 2.4 kg/die 2.0 kg/die
3×3 mm (120×120 mil) Si die
Substrate
Ag/Cu leadframe
Bare Cu leadframe
Pd/Ni/Cu leadframe
ATM-0052
Die Shear Strength after 85℃/85% RH Exposure for 168 hours/经过1小时85℃/85%条件的湿气试验后的剪切移除强度
@ 25℃ @200℃
12 kg/die 1.8 kg/die
10 kg/die 2.5 kg/die
27 kg/die 1.8 kg/die
3×3 mm (120×120 mil) Si die
Substrate
Ag/Cu leadframe
Bare Cu leadframe
Pd/Ni/Cu leadframe
ATM-0052
Chip Warpage/芯片弯曲 @ 25℃ vs. Chip size
Chip Size
Warpage
7.6×7.6 mm (300×300 mil)
19μm
10.2×10.2 mm (400×400 mil)
32μm
12.7×12.7 mm (500×500 mil)
51μm
0.38 mm (15 mil) thick Si die on 0.2 mm thick Ag/Cu leadframe
ATM-0059
Chip Warpage vs. Post Cure Thermal Process2
芯片弯曲度与后固化热处理的关系
Post Cure /后固化
Bake/后烘
@175℃)
Wirebond/打线
(1 min.@250℃)
Post Mold
(4 hrs.)
7.6×7.6×0.38 mm Si die (300×300×15 mil) on 0.2 mm (8 mil) thick LF
Substrate
20 μm
29 μm
28μm
Ag/Cu leadframe
22 μm
30 μm
28 μm
Bare Cu leadframe