光刻机Mask Aligner

一、产品简介：
MYCRO***进口美国恩科优N&Q系列光刻机（Mask Aligner)，是大部分国家的光刻系统，在光刻领域有超过35年的经验，大部分国家售出1000多套设备，为半导体制造和科研领域提供品质优良稳定的全波段紫外光刻机系统，广泛的应用于半导体光刻工艺制程、微机电MEMS、二较管芯片、发光二较体（LED）芯片制造、生物器件、纳米科技、显示面板LCD、光电器件、奈米压印以及电子封装等诸多领域。客户如美国航空航天公司、飞利浦、摩托罗拉、惠普、美国国家半导体公司、牛津大学、剑桥大学、斯坦福大学、伦敦大学、台塑、墨尔本大学、华盛顿州立大学、方大集团、大联大集团、光宝科技、汉磊股份、厦门乾照光电股份有限公司等等。

恩科优光刻机分为半自动和全自动两大系列。其中，N&Q4000系列光刻机是以半自动系统为主。该系统优越的操作性，非常高的分辨率，均匀的光学系统，现代先进的接近式和接触式光刻及非常高的性价比，使恩科优光刻系统已经被全国各地众多***企业、研发中心、研究所和高校采用；
二、技术参数：
1、芯片尺寸：5mm~200mm的圆片/方片和不规则碎片（支持对不规则碎片的特殊卡盘设计）；
2、曝光波长：350nm-450nm（其它波长可选配）；
3、汞灯功率：350W/500W（其它功率可选配）；
4、分辨率：优于0.6um；
5、曝光模式：支持接近式曝光，各种接触式（真空接触、软接触、硬接触等）曝光；
6、出射光强范围：10mW/cm2~55mW/cm2@405nm；
7、支持恒定光强或恒定功率模式；
8、曝光时间：0.1~999.9s；
9、对准精度：高清彩色CCD 高清彩色，对准精度可达到0.4微米内；
10、掩膜尺寸：2 x 2英寸到 9 x 9英寸(2 x 2英寸需要掩膜转换器)；
11、光强均匀性Uniformity：
12、双面光刻：具备背面红外对准（IR BSA）和光学背面对准（OBS BSA），双面对准精度≤2μm；
13、电源：高灵敏度光强可控电源。
可选型号：
NXQ4006
NXQ4008
NXQ8006
NXQ8006 Sapphire
NXQ8008
三、产品特点：
可选支持单面对准和双面对准设计；
高清晰彩色双CCD镜头采用的分裂视场显微镜镜头（基于无限远修正的CCD镜头设计）；高清全彩物镜（单视场或分裂视场可供用户灵活选择）；
高清彩色双显示屏；
全新气动轴承导轨设计，高准确，低磨损，无需售后维护的；
具有自动执行楔形误差补偿，并在找平后自动定位功能；
操作简易，具有支持多操作员同台使用的友好操作界面；
操控手柄调控模式的独特设计；
采用LED穿透物镜照明技术，具有超强对准亮度；
采用基于无限远修正的显微镜镜头架构；
抗衍射反射的光学光路设计；
带安全保护功能的温度和气流传感器；
全景准直透镜光线偏差半角:
设备稳定性，耐用性非常高；
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